Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation представила GT20N135SRA, дискретный IGBT на 1350 В для настольных плит IH, рисоварок IH, микроволновых печей и других бытовых приборов, в которых используются цепи резонанса напряжения. IGBT имеет напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,75 В и прямое напряжение диода 1,8 В, что примерно на 10% и 21% соответственно ниже, чем у текущего продукта.
И IGBT, и диод имеют улучшенные характеристики потерь проводимости при высокой температуре (T C = 100 ℃), а новый IGBT может помочь снизить энергопотребление оборудования. Он также имеет тепловое сопротивление между переходом и корпусом, равное 0,48 ℃ / Вт, что примерно на 26% ниже, чем у нынешних продуктов, что позволяет упростить тепловые конструкции.
Особенности GT20N135SRA IGBT
- Низкие потери проводимости:
VCE (насыщ.) = 1,6 В (тип.) (При IC = 20 A, VGE = 15 В, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 В (тип.) (При IF = 20 A, VGE = 0 В, Ta = 25 ℃)
- Низкое тепловое сопротивление перехода между корпусом: Rth (jC) = 0,48 ℃ / Вт (макс.)
- Подавляет ток короткого замыкания, протекающий через резонансный конденсатор при включении оборудования.
- Широкая безопасная рабочая зона
Новый IGBT может подавлять ток короткого замыкания, протекающий через резонансный конденсатор при включении оборудования. Пиковое значение тока цепи составляет 129 А, что примерно на 31% меньше, чем у текущего продукта. GT20N135SRA упрощает конструкцию оборудования по сравнению с другими аналогичными продуктами, доступными сегодня, поскольку его безопасная рабочая зона расширяется. Дополнительные сведения о GT20N135SRA см. На официальном веб-сайте Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.